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熱電制冷HgCdTe探測器特點：在2-12μm范圍具有良好的性能；無須LN（液氮）制冷；快速響應；無閃動噪聲；使用方便；動態范圍寬；小巧，耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計。

光平直入浸式光電磁特點： 室溫下工作；無需偏置；光譜范圍大（2-12µm）；D*（10.6 µm）達到2*107cmHz1/2/W；響應時間≤1ns；無閃動噪聲；從直流到高頻工作；重量輕，耐用可靠；低成本；可根據客戶要求設計。

光入浸式光導室溫型HgCdTe探測器特點：室溫下工作；D*（10.6 µm）達到3*108cmHz1/2/W；響應時間≤1ns；動態范圍寬；與快速邏輯元器件*兼容；使用方便；低成本；及時交貨；可根據客戶要求設計。

1）特點 室溫下工作；D*（10.6 µm）達到6*107cmHz1/2/W；響應時間≤1ns；與快速邏輯元器件*兼容；使用方便；低成本；及時交貨；可根據客戶要求設計。

倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器特點 室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態范圍寬；大面積裝置；低成本；可根據客戶要求設計。

倍增結構室溫型HgCdTe探測器特點 室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態范圍寬；低成本；可根據客戶要求設計。